外延技術
在碳化硅外延過程中，采用PVT方法，溫度高達2000多度，加工周期較長，產(chǎn)出較低，導致碳化硅襯底成本極高。在器件制備方面，由于碳化硅的特殊性，采用了高溫的工藝，包括高溫離子注入、高溫氧化以及高溫退火工藝。
碳化硅外延片的關鍵參數(shù)取決于器件設計，隨著電壓能力的增加，外延厚度隨之增加，高質(zhì)量外延片的制備面臨挑戰(zhàn)，尤其在高壓領域，缺陷的控制是一個重要挑戰(zhàn)。
碳化硅外延技術的兩大主要發(fā)展方向是臺階流生長模型和引入TCS提升生長速率。碳化硅外延中存在多種缺陷，包括微管、三角形缺陷、表面的胡蘿卜缺陷等，其中一些對器件性能產(chǎn)生嚴重影響?？刂铺蓟柰庋尤毕莸姆椒òㄖ斏鬟x擇碳化硅襯底材料、設備選擇及國產(chǎn)化、工藝技術等。
在低、中壓領域，碳化硅外延技術相對成熟，但在高壓領域仍面臨許多挑戰(zhàn)，包括外延片厚度、摻雜濃度的均勻性、三角缺陷等。
碳化硅外延材料的主要設備市場上主要有Aixtron、LPE、TEL和Nuflare等公司，它們具有不同的特點和優(yōu)勢。
碳化硅材料在高鐵、汽車電子、智能電網(wǎng)、光伏逆變、工業(yè)機電、數(shù)據(jù)中心、白色家電、消費電子、5G通信、次世代顯示等領域有廣泛應用。在終端應用中，碳化硅在低、中、高壓領域都有不同的應用，市場潛力巨大。
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2023-12-11
